中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家研究中心的科研人員首次制備出以肖特基結(jié)作為發(fā)射結(jié)的垂直結(jié)構(gòu)晶體管“硅—石墨烯—鍺晶體管”。

此次成果論文的第一作者、中科院金屬所副研究員劉馳表示，“目前已報(bào)道的石墨烯基區(qū)晶體管，普遍采用隧穿發(fā)射結(jié)，然而隧穿發(fā)射結(jié)的勢壘高度，嚴(yán)重限制了該晶體管作為高速電子器件的發(fā)展前景?！迸c已報(bào)道的隧穿發(fā)射結(jié)相比，硅-石墨烯肖特基結(jié)表現(xiàn)出最大的開態(tài)電流和最小的發(fā)射結(jié)電容，從而得到最短的發(fā)射結(jié)充電時(shí)間，使器件總延遲時(shí)間縮短了1000倍以上，可將器件的截止頻率由約1.0兆赫茲提升至1.2吉赫茲。