1、改良西門(mén)子法
改良西門(mén)子法是一種化學(xué)方法，首先利用冶金硅（純度要求在99.5%以上）與氯化氫（HCl）合成產(chǎn)生便于提純的三氯氫硅氣體（SiHCl3，下文簡(jiǎn)稱(chēng)TCS），然后將TCS精餾提純，最后通過(guò)還原反應(yīng)和化學(xué)氣相沉積（CVD）將高純度的TCS轉(zhuǎn)化為高純度的多晶硅，還原后產(chǎn)生的尾氣進(jìn)行干法回收，實(shí)現(xiàn)了氫氣和氯硅烷閉路循環(huán)利用。
改良西門(mén)子法包括五個(gè)主要環(huán)節(jié)：即SiHCl3合成、SiHCl3精餾提純、SiHCl3的氫還原、尾氣的回收和SiCl4的氫化分離。
改良西門(mén)子法是目前生產(chǎn)多晶硅最為成熟、最容易擴(kuò)建的工藝；目前，全球80%以上的多晶硅企業(yè)采用改良西門(mén)子法（閉環(huán)式三氯氫硅還原法）生產(chǎn)多晶硅，該法生產(chǎn)電子級(jí)多晶硅具有一定的優(yōu)勢(shì)，其沉積速率較快，安全性能較好，但是相比硅烷法（SiH4分解法）具有能耗高、副產(chǎn)品量較高、投資成本大等缺點(diǎn)。
2、硅烷法
硅烷法制備多晶硅主要技術(shù)是將冶金級(jí)硅粉與四氯化硅和氫氣轉(zhuǎn)化為三氯氫硅，再將三氯氫硅通過(guò)精餾工序提純及歧化反應(yīng)，生成電子級(jí)硅烷氣送至多晶硅反應(yīng)器，通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）生長(zhǎng)成多晶態(tài)硅棒。
硅烷法是利用硅烷熱分解的方法制備多晶硅，反應(yīng)溫度低，原料氣體硅烷易提純，雜質(zhì)含量可以得到嚴(yán)格的控制。
3、冶金法
冶金法又稱(chēng)物理冶金法，是指應(yīng)用冶金技術(shù)方法提純冶金級(jí)硅的過(guò)程，主要是以工業(yè)硅為原料，采用濕法冶金、真空熔煉、氧化精煉、定向凝固、特種場(chǎng)熔煉等技術(shù)組合而制備多晶硅的方法。
冶金法的特點(diǎn)是在提純過(guò)程中硅不參與任何化學(xué)反應(yīng)，依靠硅與雜質(zhì)物理性質(zhì)的差異，通過(guò)冶金熔煉的方法將雜質(zhì)去除，從而獲得滿足太陽(yáng)能電池性能需求的多晶硅。冶金法是近年來(lái)正在發(fā)展的一種低成本、低能耗和環(huán)境友好的多晶硅制備的新技術(shù)。
4、流化床法
流化床法制造多晶硅需要用到流化床反應(yīng)器，具體反應(yīng)過(guò)程如下：將SiHCl3和H2由底部注入到流化床反應(yīng)裝置中，在加熱器和預(yù)熱氣體的雙重作用下把床層溫度提高到反應(yīng)所需溫度。硅烷氣體通過(guò)被加熱的硅顆粒床層時(shí)分解生成硅和氫氣，硅在硅顆粒表面沉積，硅顆粒長(zhǎng)大到一定尺寸后形成產(chǎn)品，從反應(yīng)器底部取出。在流化床法制備多晶硅過(guò)程中，可通過(guò)反應(yīng)氣體的進(jìn)口速率調(diào)節(jié)系統(tǒng)流態(tài)化和氣體停留時(shí)間，從而提高轉(zhuǎn)化率。
5、硅石碳熱還原法
硅石碳熱還原法是利用C來(lái)還原SiO2進(jìn)行多晶硅的制備，反應(yīng)方程式如下：SiO2 C=Si CO2。這種多晶硅制備方法經(jīng)過(guò)Sintef公司改進(jìn)后，生產(chǎn)過(guò)程如下：在離子回轉(zhuǎn)爐中通過(guò)C對(duì)SiO2進(jìn)行還原，得到產(chǎn)物SiC，再將SiC投入到電弧爐中繼續(xù)和SiO2反應(yīng)，可以得到液態(tài)的硅。
實(shí)驗(yàn)表明，這種液態(tài)硅中雜質(zhì)含量非常少，幾乎只有C這一種雜質(zhì)。為了去除液態(tài)硅中的C元素，首先，需要將液態(tài)硅進(jìn)行冷卻處理，使溫度逐漸降下來(lái)，再對(duì)硅中的C進(jìn)行精煉，將硅進(jìn)行提純。當(dāng)溫度降低后，C將會(huì)與Si發(fā)生反應(yīng)生成SiC，進(jìn)而讓C從硅中分離出來(lái)。然后，向反應(yīng)裝置中注入Ar/H2O氣體，讓Si中殘留的C元素能夠以CO的形式分離出去。最后，使提純后的硅定向結(jié)晶，進(jìn)而得到多晶硅。通過(guò)這種方法得到的多晶硅，其中C元素的含量不超過(guò)0.0005%，由此可見(jiàn)，硅石碳熱還原法得到的多晶硅的純度相當(dāng)之高。
6、電解法
電解法采用電解硅酸鹽的方式得到純度較高的硅，在電解裝置中，以C作為陽(yáng)極，反應(yīng)溫度控制在1000℃，在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的電解反應(yīng)后，Si單質(zhì)將會(huì)在陰極上附著，陽(yáng)極生成CO2氣體。
電解反應(yīng)對(duì)電極材料的要求較高，這是因?yàn)樵陔娊夥磻?yīng)中，尤其是溫度較高的反應(yīng)條件下，電極極易發(fā)生腐蝕，進(jìn)而將新的雜質(zhì)引入反應(yīng)體系中，如B、P等，對(duì)硅的純度造成影響。以CaCl2作為熔鹽電解為例，使用石墨作為陽(yáng)極，陰極采用特制材料。電解完成后，需要將陰極置于真空環(huán)境，通過(guò)熔點(diǎn)的不同可以將Si與陰極材料進(jìn)行分離，通過(guò)這種方法得到的硅的純度可以達(dá)到99.8%，在很大程度上避免了B、P等雜質(zhì)對(duì)硅的污染，極大地提高了多晶硅的純度。
7、氣液沉積法
氣液沉積法（VLD法）由日本Tokuyama公司研發(fā)，反應(yīng)物質(zhì)為SiHCl3和H2，通過(guò)這兩種物質(zhì)來(lái)制備多晶硅。SiHCl3與H2的反應(yīng)需要在石墨管中進(jìn)行，反應(yīng)溫度需要控制在1500℃左右。反應(yīng)物由石墨管的上部注入，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的反應(yīng)后，生成的Si將會(huì)以液態(tài)的形式聚集在石墨管的底部。
這種制備多晶硅的方式與西門(mén)子法相比，減少了硅棒破碎的過(guò)程。與流化床法相比，有效地解決了反應(yīng)器壁沉積的問(wèn)題，促使Si的生成效率大幅度提高。
