1、在應(yīng)用層面根據(jù)電壓等級(jí)劃分

（1）低壓IGBT：指電壓等級(jí)在1000V以?xún)?nèi)的IGBT器件，例如常見(jiàn)的650V應(yīng)用于新能源汽車(chē)、家電、工業(yè)變頻等領(lǐng)域。

（2）中壓IGBT：指電壓等級(jí)在1000-1700V區(qū)間的IGBT器件，如1200V應(yīng)用于光伏、電磁爐、家電、焊機(jī)、工業(yè)變頻器和新能源汽車(chē)領(lǐng)域，1700V應(yīng)用于光伏和風(fēng)電領(lǐng)域。

（3）高壓IGBT：指電壓等級(jí)3300V及以上的IGBT器件，比如3300V和6500V應(yīng)用于高鐵、動(dòng)車(chē)、智能電網(wǎng)，以及工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域。

2、在產(chǎn)品層面根據(jù)封裝方式劃分

（1）IGBT單管：封裝規(guī)模較小，一般指封裝單顆IGBT芯片，電流通常在50A以下，適用于消費(fèi)、工業(yè)家電領(lǐng)域。

（2）IGBT模塊：IGBT最常見(jiàn)的形式，是將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起，功率更大、散熱能力更強(qiáng)，適用于高壓大功率平臺(tái)，如新能源車(chē)、光伏、高鐵等。

（3）功率集成（IPM）：指把IGBT模塊加上散熱器、電容等外圍組件，組成一個(gè)功能較為完整和復(fù)雜的智能功率模塊。

3、根據(jù)是否具有N 緩沖層劃分

（1）穿通IGBT：又稱(chēng)PT-IGBT、非對(duì)稱(chēng)IGBT，在發(fā)射極接觸處具有N 區(qū)，具有不對(duì)稱(chēng)的電壓阻斷能力，即正向和反向擊穿電壓不同。非對(duì)稱(chēng)IGBT的反向擊穿電壓小于其正向擊穿電壓，同時(shí)具有更快的切換速度。穿通IGBT是單向的，不能處理反向電壓。因此，它們被用于逆變器和斬波器電路等直流電路中。

（2）非穿通IGBT：又稱(chēng)NPT-IGBT、對(duì)稱(chēng)IGBT，它沒(méi)有由發(fā)射極接觸額外的N 區(qū)域，結(jié)構(gòu)的對(duì)稱(chēng)性提供了對(duì)稱(chēng)的擊穿電壓特性，即正向和反向擊穿電壓相等。由于這個(gè)原因，它們被用于交流電路。